 专业分销BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET，BASiC基本半导体碳化硅功率器件，BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二极管,BASiC SiC碳化硅模块，BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块，BASiC基本半导体单管IGBT，BASiC基本半导体IGBT模块，BASiC基本半导体三电平IGBT模块，BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块，BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块，BASiC 混合IGBT单管，BASiC 混合IGBT模块，BASiC 三电平IGBT模块。BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块适合应用于双向AC-DC电源，能量的双向流通的双向 LLC 谐振变换器，变换效率高，储能变流器碳化硅SiC功率MOSFET，基本半导体混合IGBT模块被广泛应用于新能源领域，医疗电源，X射线高压电源，大功率高频高速变频器,BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块使用于双向DC/DC变换器为双向非隔离型直流变换器，实现直流升压降压转换，储能PCS-Buck-Boost电路，高压侧接入PV直流侧，三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑，低压侧接电池组。
基本半导体全碳化硅MOSFET模块，Full SiC Module，SiC MOSFET模块适用于超级充电桩，V2G充电桩，高压柔性直流输电智能电网(HVDC)，空调热泵驱动，机车辅助电源，储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机，超高频伺服驱动器，高速电机变频器,MRI医疗电源等. 光伏逆变器专用对称拓扑和飞跨电容拓扑直流升压模块BOOST Module-光伏MPPT，PV Inverter交流双拼 ANPC 拓扑逆变模块。  汽车级全碳化硅功率模块是基本半导体为新能源汽车主逆变器应用需求而研发推出的系列功率模块产品，包括半桥MOSFET模块Pcore™2、三相全桥MOSFET模块Pcore™6、塑封单面散热半桥MOSFET模块Pcell™等，采用银烧结技术等基本半导体的碳化硅 MOSFET 设计生产工艺，综合性能达到国际先进水平，通过提升动力系统逆变器的转换效率，进而提高新能源汽车的能源效率和续航里程。高功率密度，高可靠性，高工作结温，低热阻，低杂散电感。
Pcore™2系列模块BMF600R12MCC4，BMF400R12MCC4具有低开关损耗、可高速开关、降低温度依赖性、高可靠性（高于AQG-324参考标准）等特点，结温可达175℃，与传统硅基模块具有相同的封装尺寸，可在一定程度上代替相同封装的IGBT模块，从而有效缩短产品开发周期，提高工作效率。
Pcore™6系列模块BMS600R12HWC4，BMS400R12HWC4，BMS700R08HWC4，BMS450R08HWC4是一款非常紧凑的功率模块，专为混合动力和电动汽车提升效率应用而设计，使用氮化硅AMB绝缘基板、用于直接流体的铜基PinFin基板、多信号监控的感应端子（焊接、压接兼容）设计，具有低损耗、高阻断电压、低导通电阻、高电流密度、高可靠性（高于AQG-324参考标准）等特点。
Pcell™系列模块BMF600R12PC4，BMF400R12PC4，BMF700R08PC4，BMF450R08PC4采用基本半导体设计的独有封装形式，采用银烧结和DTS技术，大大提升了模块的功率密度，让碳化硅材料特性得以充分发挥，使得产品具有高功率密度、低杂散电感(小于5nH)、高阻断电压、低导通电阻（小于2mΩ）、结温高达175℃等特点，非常适合于高效、高功率密度应用领域。
基本半导体混合SiC功率模块 Hybrid SiC Module主要特点： 1.与普通IGBT模块相比，混合SiC模块可大幅降低FRD的开关损耗与 IGBT 的开通损耗，有助于电力电子设备的降低功率损耗。不同应用条件下总损耗可以
降低20~40%。相对全SiC模块，性价比更高。
2.可以显著提高功率模块开关频率。因此有助于缩减输出滤波电感电容等周边元器件的规格成本，实现整机的小型化、在现有系统的不变的情况下，将普通IGBT模块更换为混合SiC模块实现更大的输出功率。
3.多种电流及封装规格,半桥结构。EconoDUAL™ 3 Hybrid SiC Module:300A,450A,600A,800A 1200V 62mm STD 2in1 :300A,450A,600A,800A 1200V
典型应用：测试电源-直流源，除尘电源，等离子切割，电源医疗电源CT， MRI，轨道交通辅助电源
LLC谐振变换器能实现全负载范围内开关管的零电压开通(ZVS,Zero Voltage Switching),相比其他开关电源,其输入输出电压调节范围较宽,且具有高效率,低噪声,高功率密度等诸多优点.与传统Si基功率器件相比,BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块具有更加优良的特性,更加适用于高频高压大功率场合.针对单相LLC谐振变换器在大电流大功率输出应用时的不足,采用三相交错并联的LLC谐振变换器拓扑并将其与BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块相结合提升功率密度.双向LLC谐振变换器广泛应用于充电桩电源模块，V2G电源模块，电网储能PCS，从调峰调频到备电、价差套利，储能将成为新型电力系统的稳定器，双向LLC谐振变换器电源模块化助推储能PCS业务发展。 |
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