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 专业分销BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET，BASiC基本半导体碳化硅功率器件，BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二极管,BASiC SiC碳化硅模块，BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块，BASiC基本半导体单管IGBT，BASiC基本半导体IGBT模块，BASiC基本半导体三电平IGBT模块，BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块，BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块，BASiC 混合IGBT单管，BASiC 混合IGBT模块，BASiC 三电平IGBT模块。BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块适合应用于双向AC-DC电源，能量的双向流通的双向 LLC 谐振变换器，变换效率高，储能变流器碳化硅SiC功率MOSFET，基本半导体混合IGBT模块被广泛应用于新能源领域，医疗电源，X射线高压电源，大功率高频高速变频器,BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块使用于双向DC/DC变换器为双向非隔离型直流变换器，实现直流升压降压转换，储能PCS-Buck-Boost电路，高压侧接入PV直流侧，三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑，低压侧接电池组。
基本半导体混合SiC功率模块 Hybrid SiC Module主要特点： 1.与普通IGBT模块相比，混合SiC模块可大幅降低FRD的开关损耗与 IGBT 的开通损耗，有助于电力电子设备的降低功率损耗。不同应用条件下总损耗可以
降低20~40%。相对全SiC模块，性价比更高。
2.可以显著提高功率模块开关频率。因此有助于缩减输出滤波电感电容等周边元器件的规格成本，实现整机的小型化、在现有系统的不变的情况下，将普通IGBT模块更换为混合SiC模块实现更大的输出功率。
3.多种电流及封装规格,半桥结构。EconoDUAL™ 3 Hybrid SiC Module:300A,450A,600A,800A 1200V 62mm STD 2in1 :300A,450A,600A,800A 1200V
典型应用：测试电源-直流源，除尘电源，等离子切割，电源医疗电源CT， MRI，轨道交通辅助电源 |
| 公司名称： |
正耀电子有限公司 |
公司类型： |
企业单位 () |
| 所 在 地： |
江苏/苏州市 |
公司规模： |
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| 注册资本： |
未填写 |
注册年份： |
2006 |
| 资料认证： |
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| 经营范围： |
光伏储能SiC MOSFET，碳化硅SiC MOSFET分立器件，碳化硅SiC MOSFET模块，混合SiC-IGBT单管国产替代，三电平IGBT模块，I型NPC1三电平IGBT模块，T型NPC2三电平IGBT模块,IGBT模块 |
| 销售的产品： |
IGBT单管，混合IGBT单管，热泵驱动SiC MOSFET，Hybrid SiC Module，混合IGBT模块，混合碳化硅功率模块，，62mm Hybrid SiC Module，混合型SiC模块，混合SiC模块，功率半导体，IGBT 混合型SiC模块，EconoDUAL™ 3 Hybrid SiC Module，IPM模块 |
| 采购的产品： |
基本半导体，储能变流器碳化硅MOSFET,光伏逆变器IGBT,SiC MOSFET，分立IGBT,混合IGBT模块,混合三电平SiC-IGBT模块,光伏逆变器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，IGBT单管，混合IGBT单管，国产SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,国产SiC MOSFET模块，SOT-227碳化硅肖特基二极管模块，混合SiC-IGBT模块，BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管，分立碳化硅MOSFET，国产TO263-7碳化硅MOSFE |
| 主营行业： |
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